
金属阳离子掺杂二硫化钼材料的制备方法及材料和应用
- 申请号:CN201510690327.0
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
- 公开(公开)号:CN106608652A
- 公开(公开)日:2017.05.03
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 金属阳离子掺杂二硫化钼材料的制备方法及材料和应用 | ||
申请号 | CN201510690327.0 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106608652A | 公开(授权)日 | 2017.05.03 |
申请(专利权)人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明(设计)人 | 王峰;张超锋;徐杰;陈海军;侯婷婷;张晓辰;张哲;王业红;张志鑫 |
主分类号 | C01G39/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G39/06(2006.01)I;B01J27/051(2006.01)I |
专利有效期 | 金属阳离子掺杂二硫化钼材料的制备方法及材料和应用 至金属阳离子掺杂二硫化钼材料的制备方法及材料和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种金属阳离子掺杂二硫化钼材料的制备方法及材料和应用,将钼前驱物分散溶解于硫化铵溶液中,用氨水调节溶液酸碱度至10≤pH≤14,在50~100℃下反应,反应后向该溶液中加入配位试剂保护的金属配合物溶液,搅拌,将水溶液搅干,真空干燥。将得到的固体粉末研磨后置于惰性气氛(氮气或者氩气)气流中,380~500℃的温度下处理0.5~8h后冷却至室温制得该阳离子掺杂二硫化钼材料。所述材料通过掺杂的手段将金属阳离子均匀分散于二硫化钼每层之间,该材料在晶体结构上保持二硫化钼的二维层状结构,材料板层间距根据掺入金属离子种类和含量的不同,在6.15~10.0埃米之间波动。该材料具有热稳定性好、耐强酸、比表面积大,在催化,电极材料等领域具有潜在应用。 |
交易流程
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