专利详情

专利名称	I掺杂的Cu?S基热电材料及其制备方法
申请号	CN201611236855.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106587135A	公开（授权）日	2017.04.26
申请（专利权）人	中国科学院上海高等研究院	发明（设计）人	陈海燕;赵世杰;杨康;陈小源
主分类号	C01G3/12(2006.01)I	IPC主分类号	C01G3/12(2006.01)I;H01L35/16(2006.01)I
专利有效期	I掺杂的Cu?S基热电材料及其制备方法至I掺杂的Cu?S基热电材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种I掺杂的Cu?S基热电材料及其制备方法，所述Cu?S基热电材料的化学通式为Cu_2?xSI_y，其中0≤x≤0.25，0.01≤y≤0.3，可以采用球磨?射频感应热压或水热合成??射频感应热压方法两种方法制备。本发明可获得稳定的高性能的Cu?S基热电材料，微量的I加入使本征的Cu₂S单斜相转变为Cu_1.96S四方相，而适量的碘加入导致材料在室温下即出现Cu₂S六方相，使得材料具有较好的热电性能，最高ZT值达到1.6。同时，碘加入导致Cu₂S在100℃附近的相变峰变弱直至消失，并且温度超过437℃时仍未发生中温六方相?高温立方相的转变，增强了材料在中高温区应用稳定性。本发明提供的两种Cu?S基热电材料的制备方法，流程简单、制备周期短、可控性好，能快速有效的制备高性能Cu?S热电材料，有利于规模化工业生产。