专利详情

专利名称	具有锥形背散射层的GaAs薄膜太阳电池及其制备方法
申请号	CN201510426718.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106374001A	公开（授权）日	2017.02.01
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	卢建娅;陆书龙;谭明
主分类号	H01L31/0304(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/052(2014.01)I
专利有效期	具有锥形背散射层的GaAs薄膜太阳电池及其制备方法至具有锥形背散射层的GaAs薄膜太阳电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种具有锥形背散射层的GaAs薄膜太阳电池，其特征在于，包括依次叠层设置于廉价衬底上的底电极、AlInP背散射层、GaInP背场层、p-GaAs基层、n-GaAs发射层、GaInP窗口层、GaAs接触层以及顶电极；其中，所述AlInP背散射层朝向所述底电极的一侧具有多个凸起的锥形结构。本发明还公开了如上所述GaAs薄膜太阳电池的制备方法。通过设置锥形背散射层以提高GaAs薄膜太阳电池的光电转换效率，采用廉价衬底，降低了电池的成本。