专利详情

专利名称	一种高膜厚高电导率的PEDOT薄膜及其制备方法
申请号	CN201610744324.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106297968A	公开（授权）日	2017.01.04
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	陈立东;石唯;姚琴;瞿三寅
主分类号	H01B5/14(2006.01)I	IPC主分类号	H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I
专利有效期	一种高膜厚高电导率的PEDOT薄膜及其制备方法至一种高膜厚高电导率的PEDOT薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种高膜厚高电导率的PEDOT薄膜及其制备方法，以EDOT单体为原料，以含有弱碱性阴离子的高醇溶性铁盐FeX₃为氧化剂，采用气相法或溶液法制备得到组成为PEDOT:X的PEDOT薄膜，其中X为高醇溶性的弱碱性阴离子，优选为樟脑磺酸根离子、长链烷基苯磺酸根离子、烷基萘磺酸根离子、二烷基萘磺酸根离子和二壬基萘二磺酸根离子中的至少一种。本发明利用前驱体铁盐氧化剂溶液的高醇溶性，提高旋涂液的浓度和粘度，抑制反应过程中氧化剂的结晶，无需添加共聚物抗结晶抑制剂（吡啶、PEPG等），从而获得高膜厚的PEDOT薄膜。