专利详情

专利名称	InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品
申请号	CN201610361608.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105932106A	公开（授权）日	2016.09.07
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	宋国峰;于海龙;吴浩越;徐云;朱海军
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品至InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种InAs/InSb/GaSb/InSb?II类超晶格材料的制造方法及由此得到的产品，该方法包括：准备衬底，作为外延层的载体；对所述衬底进行除气、脱氧处理；在所述衬底上外延生长缓冲层和80?100个周期的InAs/InSb/GaSb/InSb结构的材料。本发明不需要任何元素浸泡过程，且通过插入InSb层而不是通过形成InSb界面来补偿应变，从而可以降低InAs/GaSb?II类超晶格材料MBE外延生长的复杂度；插入型InSb层可精确控制InSb生长厚度，没有元素浸泡过程可以降低V族元素腔内残留，减少InAs层生长时Sb原子的掺入，以及InSb和GaSb层生长时As原子的掺入。