专利详情

专利名称	可见光通信用倒装RCLED及其制备方法
申请号	CN201511005814.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105609602A	公开（授权）日	2016.05.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	杨超;赵丽霞;朱石超;刘磊;于治国;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/10(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	可见光通信用倒装RCLED及其制备方法至可见光通信用倒装RCLED及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种可见光通信用倒装RCLED，所述倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板，LED芯片包括：芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层和p、n电极；所述倒装基板由下至上依次包括支撑衬底、绝缘层以及互相绝缘隔离的P、N电极焊盘；所述LED芯片通过金属焊球或共晶焊分别与所述倒装基板的P、N电极焊盘电连接。本发明有利于获得高品质因子的短腔长倒装RCLED，从而协同改善LED的频率响应和量子效率，满足光通信用高光效、高带宽的光源需求。