专利详情

专利名称	适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法
申请号	CN201610065321.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105609589A	公开（授权）日	2016.05.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	徐云;宋国峰;李晓敏;江宇;王磊;白霖
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法至适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种适用于转印的无机半导体薄膜功能单元的制备方法，该制备方法包括：生长带有牺牲层的无机半导体外延片，传统功能单元制备；牺牲层钻蚀；涂覆柔性聚合物材料及其图形化；腐蚀牺牲层；完成适用于转印的超薄无机半导体功能单元制备。本发明制备的无机半导体功能单元具有厚度小、结构有序可控、重复性好、制作成本低、操作简单及易于转印等优点。