专利详情

专利名称	一种硅基像素探测器电路及其形成方法
申请号	CN201610125187.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105702748A	公开（授权）日	2016.06.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	杨君;殷华湘
主分类号	H01L31/0216(2014.01)I	IPC主分类号	H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H03F1/26(2006.01)I
专利有效期	一种硅基像素探测器电路及其形成方法至一种硅基像素探测器电路及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种硅基像素探测器电路，第一探测器和第二探测器的感测节点分别连接至差分放大器电路的两个输入端，差分放大器电路的输出端连接第二放大器电路的输入端；第一复位晶体管和第二复位晶体管分别用于对第一探测器和第二探测器的电压进行复位；其中，第一探测器包括PIN二极管，第二探测器包括PIN二极管以及PIN二极管的受光面之上的阻挡层，第一探测器和第二探测器的PIN二极管形成在硅基衬底上的不同区域且具有相同的结构。第一探测器和第二探测器对来自环境的噪声输出一致，使得双端输入的差分放大器电路不受共模噪声的影响，从而，提高探测器整体的灵敏度，并进一步提高探测器的增益。