专利详情

专利名称	钴掺杂硫化钨纳米片、其制备方法及电化学析氢的用途
申请号	CN201610266686.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105948126A	公开（授权）日	2016.09.21
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	何军;陶非克·艾哈迈德·希法;程中州
主分类号	C01G41/00(2006.01)I	IPC主分类号	C01G41/00(2006.01)I;C01G51/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;C25B1/04(2006.01)I;C25B11/06(2006.01)I
专利有效期	钴掺杂硫化钨纳米片、其制备方法及电化学析氢的用途至钴掺杂硫化钨纳米片、其制备方法及电化学析氢的用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种化学气相沉积方法制备钴掺杂硫化钨纳米片的方法，及该钴掺杂硫化钨纳米片在电化学析氢的用途，属于无机半导体纳米材料技术领域。本发明以硫化钨纳米片和氧化钴纳米线为原料，通过化学气相沉积(CVD)方法制备钴掺杂硫化钨纳米片。本发明所合成的Co_xW_(1?x)S₂纳米片具有化学性稳定、结晶性好和高电化学活性面积等优点；同时本发明的制备工艺简单，操作方便、成本低廉；本发明的钴掺杂硫化钨纳米片电化学析氢性能良好、稳定性好，可用于电解水制氢相关领域。