五氧化二钒光电探测器及其制备方法
- 申请号:CN201610565864.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
- 公开(公开)号:CN106129144A
- 公开(公开)日:2016.11.16
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 五氧化二钒光电探测器及其制备方法 | ||
申请号 | CN201610565864.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106129144A | 公开(授权)日 | 2016.11.16 |
申请(专利权)人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明(设计)人 | 付文标;费广涛;张立德 |
主分类号 | H01L31/0328(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0328(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
专利有效期 | 五氧化二钒光电探测器及其制备方法 至五氧化二钒光电探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成,其中,五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列;方法是先使用水热法得到VO2(A)纳米线,再将VO2(A)纳米线和水混合后超声,得到VO2(A)纳米线分散液,之后,先将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中,待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后,使用衬底将其捞起,得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底,再将其退火后,于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极,制得目的产物。它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大,极易于广泛地应用于光电探测领域。 |
交易流程
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