基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法
- 申请号:CN201610428086.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
- 公开(公开)号:CN106128632A
- 公开(公开)日:2016.11.16
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法 | ||
申请号 | CN201610428086.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106128632A | 公开(授权)日 | 2016.11.16 |
申请(专利权)人 | 中国科学院电工研究所 | 发明(设计)人 | 马衍伟;徐达;王栋樑;张现平 |
主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B12/04(2006.01)I |
专利有效期 | 基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法 至基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法,该制备方法基于中心镁扩散技术,使用MgB4作为先驱粉,代替传统硼先驱粉。本发明制备方法的主要步骤包括:一、将原始粉末球磨混合均匀,然后用粉末压片机将混合粉末压成圆片,最后将圆片真空烧结并研碎,得到MgB4粉末;二、将镁棒固定在金属管中心,在镁棒和金属管中间填充MgB4粉末,两端封管后经过旋锻、拉拔、真空热处理,得到MgB2线材。本发明制备的MgB2线材超导芯致密度高、临界电流密度高、超导相填充率高、工程临界电流密度高,在中高磁场下有着优良的超导电性能。 |
交易流程
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