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基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法

  • 申请号:CN201610428086.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院电工研究所
  • 公开(公开)号:CN106128632A
  • 公开(公开)日:2016.11.16
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法
申请号 CN201610428086.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106128632A 公开(授权)日 2016.11.16
申请(专利权)人 中国科学院电工研究所 发明(设计)人 马衍伟;徐达;王栋樑;张现平
主分类号 H01B13/00(2006.01)I IPC主分类号 H01B13/00(2006.01)I;H01B12/04(2006.01)I
专利有效期 基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法 至基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法,该制备方法基于中心镁扩散技术,使用MgB4作为先驱粉,代替传统硼先驱粉。本发明制备方法的主要步骤包括:一、将原始粉末球磨混合均匀,然后用粉末压片机将混合粉末压成圆片,最后将圆片真空烧结并研碎,得到MgB4粉末;二、将镁棒固定在金属管中心,在镁棒和金属管中间填充MgB4粉末,两端封管后经过旋锻、拉拔、真空热处理,得到MgB2线材。本发明制备的MgB2线材超导芯致密度高、临界电流密度高、超导相填充率高、工程临界电流密度高,在中高磁场下有着优良的超导电性能。

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