一种带隙基准电路
- 申请号：CN201621133556.9
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN206460352U
- 公开(公开)日：2017.09.01
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种带隙基准电路 | ||
| 申请号 | CN201621133556.9 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN206460352U | 公开（授权）日 | 2017.09.01 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈仙红;张立军;邱昕;冷永清 |
| 主分类号 | G05F3/28(2006.01)I | IPC主分类号 | G05F3/28(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种带隙基准电路 至一种带隙基准电路 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型提供一种带隙基准电路。所述电路包括：一阶温度补偿电路、运算放大器电路和输出电路，所述运算放大器电路包括偏置电路、输入PMOS差动对、输出电流源；所述输入PMOS差动对的两输入管M8及M9为PMOS管，所述输入管M8及M9的源极连接所述偏置电路的输出端，输入管M8的栅极连接所述运算放大器的反相输入端，漏极连接所述输出电流源中的第一电流源的输入端，输入管M9的栅极连接所述运算放大器的同相输入端，漏极连接所述输出电流源中的第二电流源的输入端。本实用新型能够解决传统带隙基准电路上电不能正常工作的问题，而不需要附加的启动电路。 | ||
交易流程
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