专利详情

专利名称	二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统
申请号	CN201720018837.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN206385275U	公开（授权）日	2017.08.08
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	张广宇;杨蓉;时东霞;李烁辉;余画
主分类号	C30B25/02(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/02(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I
专利有效期	二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统至二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统	法律状态
说明书摘要	本实用新型涉及二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统。常规的二维材料生长系统价格昂贵，并且功能性单一。本实用新型的二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统包括管体和围绕该管体的一部分的多温区恒温炉，还可以包括设置在多温区恒温炉下游的围绕该管体的一部分的等离子体发生装置，位于管体的上游开口处的上游封堵盘上设置有多个源载气接口，从而能向管体内引入多种源载气。本实用新型的系统具有较低的成本，并且使用和维护都很方便，能够应用于二维材料的生长与修饰过程。