专利详情

专利名称	一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖
申请号	CN201621042412.2	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN206070038U	公开（授权）日	2017.04.05
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	李百中;李铮;施振华;刘有臣
主分类号	C30B9/12(2006.01)I	IPC主分类号	C30B9/12(2006.01)I
专利有效期	一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖至一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖，所述铂金坩埚盖包括盖沿、圆形的盖面和与盖面同心的圆孔。所述盖沿在盖面的边缘，竖直向下，长度范围为3mm～20mm；所述圆形盖面具有一定弧度，该圆形盖面与水平面的夹角范围为5°～45°，直径范围为60mm～200mm；所述圆孔与盖面同心，圆孔直径范围为15mm～30mm，所述圆孔周围有一定高度的外壁，外壁的高度范围为3mm～10mm；所述铂金坩埚盖厚度范围为0.3mm～2mm。本实用新型适用于助熔剂法晶体生长过程中的温度梯度调控，同时可有效减少保温材料及熔体内挥发物对熔体的污染，保证熔体的纯度。