Semiconductor device and method for manufacturing the same
- 申请号：US201214354648
- 专利类型：US
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：US9147762(B2)
- 公开(公开)日：2015.09.29
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | Semiconductor device and method for manufacturing the same | ||
| 申请号 | US201214354648 | 专利类型 | US |
| 公开（公告）号 | US9147762(B2) | 公开（授权）日 | 2015.09.29 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | Yin Haizhou;Jiang Wei;Zhu Huilong |
| 主分类号 | H01L27/01 | IPC主分类号 | H01L27/01;H01L29/78;H01L29/10;H01L29/165;H01L29/66 |
| 专利有效期 | Semiconductor device and method for manufacturing the same 至Semiconductor device and method for manufacturing the same | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided. In one embodiment, the method comprises: growing a first epitaxial layer on a substrate; forming a sacrificial gate stack on the first epitaxial layer; selectively etching the first epitaxial layer; growing and in-situ doping a second epitaxial layer on the substrate; forming a spacer on opposite sides of the sacrificial gate stack; and forming source/drain regions with the spacer as a mask. | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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