3D integrated circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing same
- 申请号：US201013062001
- 专利类型：US
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：US9064849(B2)
- 公开(公开)日：2015.06.23
- 法律状态：
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 3D integrated circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing same | ||
| 申请号 | US201013062001 | 专利类型 | US |
| 公开（公告）号 | US9064849(B2) | 公开（授权）日 | 2015.06.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | Zhu Huilong |
| 主分类号 | H01L21/4763 | IPC主分类号 | H01L21/4763;H01L23/48;H01L25/065;H01L25/00 |
| 专利有效期 | 3D integrated circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing same 至3D integrated circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing same | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | The present invention discloses a semiconductor device. In one embodiment, the semiconductor device comprises a substrate, a diffusion stop layer formed on the substrate, an SOI layer formed on the diffusion stop layer, an MOSFET transistor formed on the SOI layer, and a TSV formed in a manner of penetrating through the substrate, the diffusion stop layer, the SOI layer, and a layer where the MOSFET transistor is located; and an interconnect structure connecting the MOSFET transistor and the TSV. | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言