Flash memory device and method for manufacturing the same
- 申请号：US201113148265
- 专利类型：US
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：US8878280(B2)
- 公开(公开)日：2014.11.04
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | Flash memory device and method for manufacturing the same | ||
| 申请号 | US201113148265 | 专利类型 | US |
| 公开（公告）号 | US8878280(B2) | 公开（授权）日 | 2014.11.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | Zhu Huilong;Yin Haizhou;Luo Zhijiong |
| 主分类号 | H01L29/788 | IPC主分类号 | H01L29/788;H01L27/115;H01L29/66;H01L21/84;H01L27/12 |
| 专利有效期 | Flash memory device and method for manufacturing the same 至Flash memory device and method for manufacturing the same | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | The present invention provides a FinFET flash memory device and the method for manufacturing the same. The flash memory device is on an insulating layer, comprising: a first fin and a second fin, wherein the second fin is a control gate of the device; a gate dielectric layer, at side walls and top of the first fin and the second fin; source/drain regions, inside the first fin at both sides of a floating gate. | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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