Semiconductor device and manufacturing method thereof
- 申请号：US201113497249
- 专利类型：US
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：US8816326(B2)
- 公开(公开)日：2014.08.26
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | Semiconductor device and manufacturing method thereof | ||
| 申请号 | US201113497249 | 专利类型 | US |
| 公开（公告）号 | US8816326(B2) | 公开（授权）日 | 2014.08.26 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | Yin Huaxiang;Luo Jun;Zhao Chao;Liu Honggang;Chen Dapeng |
| 主分类号 | H01L29/78 | IPC主分类号 | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/778;H01L29/08 |
| 专利有效期 | Semiconductor device and manufacturing method thereof 至Semiconductor device and manufacturing method thereof | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | A semiconductor device, which comprises: a semiconductor substrate; a channel region on the semiconductor substrate, said channel region including a quantum well structure; a source region and a drain region on the sides of the channel region; a gate structure on the channel region; wherein the materials for the channel region, the source region and the drain region have different energy bands, and a tunneling barrier structure exists between the source region and the channel region. | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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平台保障
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