Semiconductor substrate for manufacturing transistors having back-gates thereon
- 申请号：US201113696995
- 专利类型：US
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：US8829621(B2)
- 公开(公开)日：2014.09.09
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | Semiconductor substrate for manufacturing transistors having back-gates thereon | ||
| 申请号 | US201113696995 | 专利类型 | US |
| 公开（公告）号 | US8829621(B2) | 公开（授权）日 | 2014.09.09 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | Zhu Huilong;Luo Zhijiong;Yin Haizhou;Zhong Huicai |
| 主分类号 | H01L21/70 | IPC主分类号 | H01L21/70;H01L27/12;H01L21/84;H01L27/092;H01L21/74;H01L21/762;H01L29/786 |
| 专利有效期 | Semiconductor substrate for manufacturing transistors having back-gates thereon 至Semiconductor substrate for manufacturing transistors having back-gates thereon | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | |||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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