Transistor with primary and semiconductor spacer, method for manufacturing transistor, and semiconductor chip comprising the transistor
- 申请号：US201113378997
- 专利类型：US
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：US8835316(B2)
- 公开(公开)日：2014.09.16
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | Transistor with primary and semiconductor spacer, method for manufacturing transistor, and semiconductor chip comprising the transistor | ||
| 申请号 | US201113378997 | 专利类型 | US |
| 公开（公告）号 | US8835316(B2) | 公开（授权）日 | 2014.09.16 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | Yin Haizhou;Luo Jun;Zhu Huilong;Luo Zhijiong |
| 主分类号 | H01L29/772 | IPC主分类号 | H01L29/772;H01L21/3213;H01L21/768;H01L29/78;H01L29/66;H01L29/417;H01L21/285 |
| 专利有效期 | Transistor with primary and semiconductor spacer, method for manufacturing transistor, and semiconductor chip comprising the transistor 至Transistor with primary and semiconductor spacer, method for manufacturing transistor, and semiconductor chip comprising the transistor | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | |||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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