Method for manufacturing contact holes in CMOS device using gate-last process
- 申请号：US201113141982
- 专利类型：US
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：US8759208(B2)
- 公开(公开)日：2014.06.24
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | Method for manufacturing contact holes in CMOS device using gate-last process | ||
| 申请号 | US201113141982 | 专利类型 | US |
| 公开（公告）号 | US8759208(B2) | 公开（授权）日 | 2014.06.24 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | Yan Jiang |
| 主分类号 | H01L21/3205 | IPC主分类号 | H01L21/3205 |
| 专利有效期 | Method for manufacturing contact holes in CMOS device using gate-last process 至Method for manufacturing contact holes in CMOS device using gate-last process | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | |||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
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