专利详情

专利名称	Terahertz-Lichtquellenchip, Lichtquellenvorrichtung, Lichtquellenanordnung und ihr Herstellungsverfahren
申请号	DE20141104277T	专利类型	DE
公开（公告）号	DE112014004277(T5)	公开（授权）日	2016.06.16
申请（专利权）人	苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	Huang, Yongdan;Zheng, Zhongxin;Wu, Dongmin;Cai, Yong;Qin, Hua;Sun, Jiandong;Zhang, Baoshun
主分类号	H01S1/02	IPC主分类号	H01S1/02;H01L29/778
专利有效期	Terahertz-Lichtquellenchip, Lichtquellenvorrichtung, Lichtquellenanordnung und ihr Herstellungsverfahren 至Terahertz-Lichtquellenchip, Lichtquellenvorrichtung, Lichtquellenanordnung und ihr Herstellungsverfahren	法律状态
说明书摘要	Die vorliegende Erfindung stellt einen Terahertz-Lichtquellenchip, eine Lichtquellenvorrichtung, eine Lichtquellenanordnung und ihr Herstellungsverfahren zur Verfügung, wobei der Lichtquellenchip umfasst: eine Elektronengas-Plattformfl?che; eine an der zweidimensionalen Elektronengas-Plattformfl?che ausgebildete Elektrode zum Anregen der Plasmawelle; einen unterhalb der Elektronengas-Plattformfl?che ausgebildeten Terahertz-Resonanzhohlraum, wobei an der Unterseite des Resonanzhohlraums ein Totalreflexionsspiegel angeordnet ist; sowie ein Gitter, das an der zweidimensionalen Elektronengas-Plattformfl?che angeordnet ist und zur Kopplung zwischen dem Plasmawellenmodus und der Terahertz-Resonanzhohlraumform dient, um eine Terahertz-Wellenemission auszubilden. Bei der vorliegenden Erfindung wird ein Plasmonpolaritonsmodus über eine starke Koppelung zwischen der Terahertz-Resonanzhohlraumform und dem Plasmawellenmodus im zweidimensional Elektronengas unter dem Gitter ausgebildet, dabei kann eine Terahertz-Wellenemission unter der Verwendung der elektrischen Anregung der Plasmonpolariton erzeugt werden, um zu vermeiden, dass die mittels der hochfrequenten Schwingungen eines einzelnen Elektrons oder des Quantenübergangs eines einzelnen Elektrons erzeugte Emission ein Problem mit einer niedrigen Frequenz oder niedrigen Betriebstemperatur hat, um den Sendefrequenzbereich und den Betriebstemperaturbereich zu erweitern.