Resistive random access memory cell and memory
- 申请号：US201113512797
- 专利类型：US
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：US8642989(B2)
- 公开(公开)日：2014.02.04
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | Resistive random access memory cell and memory | ||
| 申请号 | US201113512797 | 专利类型 | US |
| 公开（公告）号 | US8642989(B2) | 公开（授权）日 | 2014.02.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | LIU QI;LIU MING;LONG SHIBING;LV HANGBING |
| 主分类号 | H01L45/00 | IPC主分类号 | H01L45/00 |
| 专利有效期 | Resistive random access memory cell and memory 至Resistive random access memory cell and memory | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | A Resistive Random Access Memory (RRAM) cell and a memory are disclosed. In one embodiment, the RRAM cell comprises a two-state resistor and a resistive switching memory cell connected in series. The two-state resistor can supply relatively large currents under both positive and negative voltage polarities. As a result, it is possible to reduce leakage paths in a crossbar array of memory cells, and thus to suppress reading crosstalk. | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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