
一种传导冷却高功率半导体激光器
- 申请号:CN201620712927.2
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院西安光学精密机械研究所
- 公开(公开)号:CN205901066U
- 公开(公开)日:2017.01.18
- 法律状态:
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专利详情
专利名称 | 一种传导冷却高功率半导体激光器 | ||
申请号 | CN201620712927.2 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN205901066U | 公开(授权)日 | 2017.01.18 |
申请(专利权)人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明(设计)人 | 朱其文;张普;吴的海;刘兴胜;熊玲玲;聂志强 |
主分类号 | H01S5/024(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/024(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I |
专利有效期 | 一种传导冷却高功率半导体激光器 至一种传导冷却高功率半导体激光器 | 法律状态 | |
说明书摘要 | 本实用新型提供了一种传导冷却高功率半导体激光器,包括激光芯片组、正极连接块、负极连接块和T型绝缘导热块。激光芯片组由多个激光芯片形成叠阵模块,其堆叠方向的两个外端面分别为激光芯片组的正、负极端;正、负极连接块相对的内侧面分别具有第一凸台和第二凸台;第一凸台和第二凸台均为L型,两者呈中心对称设置;第一凸台和第二凸台共同作为激光器的热沉;L型长部与绝缘导热块竖部的两个端面相贴并焊接;L型短部为孔板形式作为引出电极;正、负极连接块的相对内侧面上的非凸起面与绝缘导热块横部的两个端面相贴并焊接;正、负极连接块的相对内侧面上的非凸起面与激光芯片组的正、负极端相贴并焊接。本实用新型结构简单、集成性好。 |
交易流程
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