专利详情

专利名称	一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器
申请号	CN201620835458.3	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN205900097U	公开（授权）日	2017.01.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	于猛;曾传滨;闫薇薇;罗家俊;韩郑生
主分类号	G11C11/417(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/417(2006.01)I
专利有效期	一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器至一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器	法律状态
说明书摘要	本实用新型属于抗辐射电路技术领域，公开了一种抗单粒子翻转的静态随机存取存储器，包括：至少两个相同的子模块；第i个子模块的端口为A_{i_1}、A_{i_2}、B_{i_1}、B_{i_2}、WL_i、BL_i与BLB_i；子模块中包括6个MOSFET，其中PMi_1漏极与NMi_1漏极连接部分构成存储节点i_1，PMi_2漏极与NMi_2漏极连接部分构成存储节点i_2。i_1与i_2存储数据的逻辑值相反；子模块之间的连接关系为A_{i_1}与B_{i?1_2}连接，A_{i?1_2}与B_{i_1}连接，A_{i_2}与B_{i+1_1}连接，A_{i+1_1}与B_{i_2}连接，BL_i?1、BL_i、BL_i+1与BL连接，BLB_i?1、BLB_i、BLB_i+1与BLB连接，WL_i?1、WL_i、WL_i+1与WL连接，A_{1_1}与B_{n_2}连接，A_{n_2}与B_{1_2}连接。本实用新型提供了一种抗辐射能力强，抗SEU能力稳定，读写速度快得存储器。