专利详情

专利名称	一种基于硫化镍钴三维分级纳米结构的赝电容器电极
申请号	CN201620874672.X	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN205863019U	公开（授权）日	2017.01.04
申请（专利权）人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院	发明（设计）人	李振湖;刘双翼;陆文强;李徐;向路
主分类号	H01G11/24(2013.01)I	IPC主分类号	H01G11/24(2013.01)I;H01G11/26(2013.01)I
专利有效期	一种基于硫化镍钴三维分级纳米结构的赝电容器电极至一种基于硫化镍钴三维分级纳米结构的赝电容器电极	法律状态
说明书摘要	本实用新型涉及一种基于硫化镍钴三维分级纳米结构的赝电容器电极，该电极包括泡沫镍基底和位于其上的多个硫化钴镍纳米片，所述硫化钴镍纳米片相互连接呈蜂窝状且每片硫化钴镍纳米片上分布着多个纳米级的孔洞，使该电极具有三维分级纳米结构。其中，纳米片相互连接呈蜂窝状，这种稳定的结构提高了电极的倍率性能和循环稳定性；纳米片上的多个纳米级空洞增加了电极可利用的活性表面，从而提高电极的能量密度，扩大电极中活性材料与电解质的作用速率。这种多层分级结构使该电极具有极高的比容量，良好的倍率性能和优异的循环稳定性。