用于测量深低温强磁场下样品光致发光的系统
- 申请号：CN201620558438.6
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号：CN205808932U
- 公开(公开)日：2016.12.14
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 用于测量深低温强磁场下样品光致发光的系统 | ||
| 申请号 | CN201620558438.6 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN205808932U | 公开（授权）日 | 2016.12.14 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 吕蒙;俞国林;林铁;褚君浩 |
| 主分类号 | G01N21/63(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/63(2006.01)I |
| 专利有效期 | 用于测量深低温强磁场下样品光致发光的系统 至用于测量深低温强磁场下样品光致发光的系统 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本专利公开了一种用于测量深低温强磁场下样品光致发光的系统，测量系统主要由光纤激光器、光纤组件、光纤、真空密封接头、O型圈、螺母、待测样品、磁输运样品室、光谱仪和测试分析计算机等组成。该测量系统的主要特征在于利用光纤组件在深低温、强磁场环境中对样品进行光致发光测试，实现了光致发光测试与深低温、强磁场输运测量的结合。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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