专利详情

专利名称	一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器
申请号	CN201620318427.0	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN205723636U	公开（授权）日	2016.11.23
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	王建禄;胡伟达;王旭东;孙璟兰;孟祥建;陈效双;陆卫;褚君浩
主分类号	H01L51/42(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I
专利有效期	一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器至一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、二维半导体，金属源漏电极、铁电功能层和半透金属上电极。器件制备步骤是在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合剥离工艺制备金属电极作为半导体沟道的源极和漏极，然后在该结构上制备铁电薄膜，随后在铁电薄膜上制备半透明或透明电极，形成二维半导体探测器结构。器件首先需要通过极化铁电材料，使得二维半导体沟道背景载流子完全耗尽，源极和漏极间施加一微小电压，通过测量光照下的电流信号变化，进而实现光电探测。该探测器具有高灵敏、快速响应、稳定性好、低功耗及宽光谱探测等特点。