集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器
- 申请号：CN201620179891.6
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN205643233U
- 公开(公开)日：2016.10.12
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器 | ||
| 申请号 | CN201620179891.6 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN205643233U | 公开（授权）日 | 2016.10.12 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 明安杰;郑轩;陈大鹏 |
| 主分类号 | G01N27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器 至集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器，所述集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器，从底部向顶部依次包括：承载硅基底，传感器释放后空腔、MEMS氧化硅、氮化硅复合膜支撑结构，图形化多晶硅薄膜层，纳米尺度硅结构，梳齿敏感电极、加热电极以及引线键合pad层结构，金属氧化物敏感膜层。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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