专利详情

专利名称	一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器
申请号	CN201620347873.4	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN205565287U	公开（授权）日	2016.09.07
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	徐天鸿;曹俊诚
主分类号	H01S5/042(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/042(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I
专利有效期	一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器至一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器，包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述半绝缘GaAs衬底上表面的GaAs缓冲层；位于所述GaAs缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于所述n型重掺杂下接触层表面的有源区；位于所述有源区表面的n型重掺杂上接触层；位于所述n型重掺杂上接触层表面且设有间隔距离L的第一、第二上电极金属层，其中，所述第二上电极金属层为退火后可形成高波导损耗的上电极金属层；以及位于所述n型重掺杂下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层。通过本实用新型提供的一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器，解决了现有技术中THz吸收器都是一个个分立的器件，且使用的材料与THz?QCL差异较大，故不可能用在基于THz?QCL材料的片上集成系统中的问题。