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场效应二极管

  • 申请号:CN201620054295.5
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
  • 公开(公开)号:CN205542798U
  • 公开(公开)日:2016.08.31
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 场效应二极管
申请号 CN201620054295.5 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN205542798U 公开(授权)日 2016.08.31
申请(专利权)人 中国科学院物理研究所 发明(设计)人 张永晖;梅增霞;梁会力;杜小龙
主分类号 H01L29/87(2006.01)I IPC主分类号 H01L29/87(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I
专利有效期 场效应二极管 至场效应二极管 法律状态
说明书摘要 本实用新型提供了一种场效应二极管,包括:依次堆叠的导电层、绝缘层和沟道层;与所述沟道层接触的第一电极和第二电极,所述第二电极与所述导电层电连接。本实用新型的场效应二极管具有高整流比。

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