微电容超声传感器
- 申请号：CN201620070009.4
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号：CN205491145U
- 公开(公开)日：2016.08.17
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 微电容超声传感器 | ||
| 申请号 | CN201620070009.4 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN205491145U | 公开（授权）日 | 2016.08.17 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 苗静;沈文江;熊继军;薛晨阳 |
| 主分类号 | H04R19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H04R19/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 微电容超声传感器 至微电容超声传感器 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种微电容超声传感器，包括：衬底、设置于衬底上表面的下电极组件、上膜以及设置于上膜上表面的上电极组件，衬底上表面还设置有封闭环绕下电极组件的下密封线圈，上膜下表面凹设有用于收容下电极组件的收容腔以及封闭环绕收容腔的上密封线圈，上膜和衬底至少通过上密封线圈和下密封线圈对接密封收容腔。根据本实用新型的微电容超声传感器不仅提高了密封性，阻断了其内部的收容腔与外部环境的交换，简单且低成本地实现了自密封作用；而且还避免了寄生电容对能效的耗散，加强了转换效率。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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