专利详情

专利名称	一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管
申请号	CN201521006351.X	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN205428936U	公开（授权）日	2016.08.03
申请（专利权）人	北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	王晓亮;闫俊达;李百泉;王权;肖红领;冯春;殷海波;姜丽娟;邱爱芹;介芳
主分类号	H01L29/66(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/66(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I
专利有效期	一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管至一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管	法律状态
说明书摘要	本申请公开了一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管，该氮化镓基绝缘栅双极晶体管从下至上依次包括：集电极金属层、P+氮化镓衬底、N-型氮化镓漂移层、P+氮化镓注入区、N+氮化镓注入区、SiO₂介质层、栅极金属层、SiO₂介质层和发射极金属层。该晶体管的制造工艺过程简单、重复性好、可靠性高。经过合理的外延层结构设计与合适的注入掺杂，实现了氮化镓基绝缘栅双极晶体管所需的基本材料结构。此外，该晶体管保证了器件具有很高的击穿电压与通态电流。