专利详情

专利名称	具有异质结结构的GaN基p型场效应管
申请号	CN201620028540.5	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN205376534U	公开（授权）日	2016.07.06
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	薛世伟;王玲;李晓娟;王继强;谢晶;张燕;刘诗嘉;李向阳
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	具有异质结结构的GaN基p型场效应管至具有异质结结构的GaN基p型场效应管	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本专利的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。