专利详情

专利名称	一种GaN基双异质结HEMT器件
申请号	CN201620030231.1	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN205376535U	公开（授权）日	2016.07.06
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	陈效双;姚路驰;王林;胡伟达;陆卫
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/15(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	一种GaN基双异质结HEMT器件至一种GaN基双异质结HEMT器件	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种GaN基双异质结HEMT器件，其结构依次为：蓝宝石衬底上依次形成的GaN缓冲层、AlInN势垒层、GaN沟道层、AlGaN隔离层、AlGaN势垒层，AlGaN栅介质层，AlGaN栅介质层上形成的源极、栅极和漏极，以及源极和栅极之间形成的Si₃N₄源栅绝缘层、源极和漏极之间形成的Si₃N₄漏栅绝缘层。其特征是，在传统GaN?HEMT器件的GaN缓冲层和GaN沟道层之间加入一层AlInN势垒层，利用AlInN材料的压电极化性质降低器件的电流崩塌效应，并形成AlGaN/GaN/AlInN量子阱结构，进一步提高了对二维电子气的束缚力，从而降低电流坍塌效应。