专利详情

专利名称	CMOS图像传感器像元合并读出电路结构
申请号	CN201620030246.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN205378049U	公开（授权）日	2016.07.06
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	解宁;丁毅;王欣;李梧萤;陈世军
主分类号	H04N5/374(2011.01)I	IPC主分类号	H04N5/374(2011.01)I;H04N5/3745(2011.01)I;H04N5/378(2011.01)I
专利有效期	CMOS图像传感器像元合并读出电路结构至CMOS图像传感器像元合并读出电路结构	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种CMOS图像传感器像元合并读出电路结构。该结构包括列总线，列放大器，列读出复位开关、列选通开关，列合并电容，列合并控制开关，列合并总线，列合并输出开关，行合并电容，合并复位开关，行合并控制开关，行合并总线及输出放大器。系统工作时，由列总线依次选取待合并像元所在行，通过列合并控制开关和行合并控制开关完成行列像元合并操作，最终经输出放大器输出像元合并后的信号。本专利的优点在于实现了CMOS图像传感器任意规模的像元合并功能，同时提升了信噪比和帧频。