专利详情

专利名称	一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201610272824.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105742391A	公开（授权）日	2016.07.06
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	叶继春;曾俞衡;高平奇;韩灿;廖明墩;王丹;蔡亮
主分类号	H01L31/048(2014.01)I	IPC主分类号	H01L31/048(2014.01)I;H01L31/0216(2014.01)I
专利有效期	一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法至一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供的太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述钝化隧穿层为氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层中的一种；所述氮氧化硅为掺杂氮的氧化硅或掺杂氧的氮化硅；所述氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层的氮浓度从远离硅片侧向硅片侧梯度降低。由于氮化硅和氮氧化硅的隧穿势垒较低，本发明钝化隧穿层可以在保证隧穿效率的前提下适当放宽钝化隧穿层的厚度，从而有利于减少钝化隧穿层孔洞，降低漏电流的发生和复合速度，拓宽工艺窗口和提高工艺稳定性。