专利详情

专利名称	一种金纳米球二维阵列结构、制备方法和用途
申请号	CN201610104071.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105712293A	公开（授权）日	2016.06.29
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	葛广路;张卓;王瑞敏;张晓锐
主分类号	B82B1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;G01N21/01(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种金纳米球二维阵列结构、制备方法和用途至一种金纳米球二维阵列结构、制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种金纳米球二维阵列的方法，所述方法包括如下步骤：将包覆有十六烷基三甲基溴化铵的金纳米球溶液滴加在硅片上，经过溶剂挥发自组装得到金纳米球二维阵列；所述自组装条件为：首先在10～18℃的温度，10～20％的湿度下保持2h，然后在10～20min之内将温度调整至22～28℃，湿度调整至25～35％，并保持直至样品干燥。本发明制备方法简单，易操作，制备得到的金纳米颗粒二维阵列结构稳定，其中的金纳米颗粒排列规整且紧密，应用于生物分子及小分子的拉曼检测具有更高的检测精度。