一种Bi19S27Br3纳米线制备方法
- 申请号:CN201410660157.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
- 公开(公开)号:CN105668623A
- 公开(公开)日:2016.06.15
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种Bi19S27Br3纳米线制备方法 | ||
| 申请号 | CN201410660157.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN105668623A | 公开(授权)日 | 2016.06.15 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明(设计)人 | 李灿;张文华;吴义辉 |
| 主分类号 | C01G29/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G29/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 一种Bi19S27Br3纳米线制备方法 至一种Bi19S27Br3纳米线制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种Bi19S27Br3纳米线制备方法。采用一种简单的胶晶溶液法,以BiBr3和双(三甲基硫化硅)作为原料,油胺和油酸作为表面活性剂,十八烯作为溶剂,利用金属离子(如Al3+、Fe3+、Fe2+,Co3+、Co2+、Ni2+等)控制纳米线的形貌和物相。反应采用标准的无水无氧操作装置(史兰克线)进行,反应温度140~240℃,反应时间5~120min。本发明的半导体纳米线制备方法简单易行,反应条件温和,操作成本低,且制备的纳米线形貌规整、尺寸均一。 | ||
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