一种基于石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器
- 申请号:CN201410602352.4
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号:CN105633190A
- 公开(公开)日:2016.06.01
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种基于石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器 | ||
| 申请号 | CN201410602352.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN105633190A | 公开(授权)日 | 2016.06.01 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院物理研究所 | 发明(设计)人 | 郭丽伟;陈小龙;贾玉萍 |
| 主分类号 | H01L31/102(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/102(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0312(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 一种基于石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器 至一种基于石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器,该探测器包括SiO2/Si衬底(4),所述SiO2/Si衬底(4)上的SiC纳米线(1),包覆所述SiC纳米线(1)的石墨烯层(2),所述SiC纳米线(1)和所述石墨烯层(2)纵向两端上的两端电极(3),所述SiO2/Si衬底(4)背面的背栅电极(5),以及分别在所述两端电极(3)和背栅电极(5)上的电极引线(6)。本发明提供了石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器技术,综合利用了SiC纳米线微腔结构增强光与SiC的相互作用、抑制光生载流子的复合并促进光生载流子的转移效率,以及石墨烯优良电子输运特性带来的对光生载流子的超快响应的优势。 | ||
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