专利详情

专利名称	CdTe薄膜太阳电池的背接触结构、其制备方法与CdTe薄膜太阳电池
申请号	CN201511030285.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105576049A	公开（授权）日	2016.05.11
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	王德亮;李珣;沈凯
主分类号	H01L31/0224(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0725(2012.01)I
专利有效期	CdTe薄膜太阳电池的背接触结构、其制备方法与CdTe薄膜太阳电池至CdTe薄膜太阳电池的背接触结构、其制备方法与CdTe薄膜太阳电池	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种CdTe薄膜太阳电池的背接触结构，包括依次叠加设置的第一过渡金属氧化物薄膜、第二CdTe薄膜、Cu金属薄膜和金属背电极。本申请通过在两层CdTe薄膜之间设置过渡金属氧化物薄膜，以阻挡Cu原子向CdTe层及CdS/CdTe异质结区的扩散，在保证低阻接触的情况下提高了太阳电池的稳定性；本申请还提供了所述CdTe薄膜太阳电池的背接触结构的制备方法以及包括所述CdTe薄膜太阳电池背接触结构的太阳电池。