专利详情

专利名称	二维纳米薄膜制备装置
申请号	CN201520826899.2	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN205188486U	公开（授权）日	2016.04.27
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	张凯;俞强
主分类号	C30B29/64(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/64(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期	二维纳米薄膜制备装置至二维纳米薄膜制备装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种二维纳米薄膜制备装置，包括：用于存储衬底的衬底储存室；用以提供适于在所述衬底上生长二维纳米薄膜而形成样品的环境的沉积室；用以收集所述样品的取样室；以及，样品传送室，包括用以在衬底储存室、沉积室和取样室之间传送所述衬底和/或样品的样品运送装置；其中，所述样品传送室至少能够与所述衬底储存室、沉积室、取样室中的任一者真空级联。藉由本实用新型的装置可实现二维纳米薄膜材料在硅或其它硬质半导体、介质材料衬底上的大面积直接生长，并能与基于硅工艺的半导体技术加工流水线相匹配，方便后续器件加工与应用，特别是还具有低能耗、可连续自动化作业的优点，工艺可控性、稳定性和重复性高，产品质量稳定优良。