专利详情

专利名称	薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法
申请号	CN201511019482.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105514198A	公开（授权）日	2016.04.20
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院	发明（设计）人	刘艳云;顾光一;冯叶;冯丽丽;童君;马续航;宋秋明;杨春雷;肖旭东
主分类号	H01L31/0445(2014.01)I	IPC主分类号	H01L31/0445(2014.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0264(2006.01)I
专利有效期	薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法至薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明涉及一种薄膜太阳能电池，包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层和透明导电层，缓冲层包括多层子缓冲层，子缓冲层为Zn_1-xMg_xO，其中0≤x≤t，0.2≤t≤0.4，随光吸收层至透明导电层的方向上，多层子缓冲层的x值在0～t内逐渐减小。上述缓冲层的一侧为ZnO，另一侧为Zn_1-tMg_tO。Zn_1-tMg_tO的导带底略高于CIGS吸收层的导带，ZnO的能带与透明导电层的能带完美对接，因此减少了缓冲层与吸收层界面处的载流子复合，提高了开路电压。同时避免了缓冲层的导带底显著高于CIGS吸收层的导带形成较高的电子势垒，进而阻碍电子的运输导致短路电流密度降低的问题，可使薄膜太阳能电池的开路电压与短路电流密度共同提高。本发明还提供了薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法。