一种抗辐射LVDT传感器
- 申请号：CN201520825719.9
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院合肥物质科学研究院
- 公开(公开)号：CN205175336U
- 公开(公开)日：2016.04.20
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种抗辐射LVDT传感器 | ||
| 申请号 | CN201520825719.9 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN205175336U | 公开（授权）日 | 2016.04.20 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 张裕悝;潘宏青;王耀雄;双丰 |
| 主分类号 | G01B7/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01B7/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种抗辐射LVDT传感器 至一种抗辐射LVDT传感器 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型涉及一种抗辐射LVDT传感器，包括从外向内依次设置的外壳、线圈骨架和铁芯；所述线圈骨架上缠绕有线圈，所述外壳与线圈骨架之间设有内壳；所述内壳采用抗辐射材料，且该抗辐射材料为铅、铅合金或钨合金；所述线圈与内壳之间填充有填充层；所述填充层采用聚苯硫醚纤维材质。由以上技术方案可知，本实用新型所述的LVDT传感器，内壳采用铅、铅合金或钨合金等抗辐射材料，在线圈与内壳之间填充有采用聚苯硫醚纤维材质的填充层，使该LVDT传感器具有较高的抗辐射能力，能够在辐射环境下稳定运行。 | ||
交易流程
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专利 -
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