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一种微颗粒上制备测试电极的方法

  • 申请号:CN201610008779.0
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
  • 公开(公开)号:CN105502276A
  • 公开(公开)日:2016.04.20
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种微颗粒上制备测试电极的方法
申请号 CN201610008779.0 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN105502276A 公开(授权)日 2016.04.20
申请(专利权)人 中国科学院物理研究所 发明(设计)人 顾长志;李无瑕;金爱子;李俊杰
主分类号 B81B7/00(2006.01)I IPC主分类号 B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I
专利有效期 一种微颗粒上制备测试电极的方法 至一种微颗粒上制备测试电极的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种微颗粒上制备测试电极的方法,涉及新型材料与器件的加工制备领域。本发明通过聚焦离子束/电子束双束系统在微颗粒的表面制备测试电极,具体步骤包括:选取支撑衬底在所述支撑衬底上分散排布所述微颗粒;将分散排布后的微颗粒固定在所述支撑衬底上;在固定的微颗粒的表面加工电极条并将所述电极条延伸到所述支撑衬底上,在所述支撑衬底上沉积加工电极接触块,以实现所述测试电极的制备。本发明的微颗粒上制备测试电极的方法,通过聚焦离子束/电子束双束系统在微颗粒的表面制备测试电极,工艺步骤简单、难度低、耗时少、且具有较高的灵活性。本发明的方法,适用于一些非常规微尺寸器件。

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