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阳极场辅磁控溅射镀膜装置

  • 申请号:CN201520836093.1
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院兰州化学物理研究所
  • 公开(公开)号:CN205152320U
  • 公开(公开)日:2016.04.13
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 阳极场辅磁控溅射镀膜装置
申请号 CN201520836093.1 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN205152320U 公开(授权)日 2016.04.13
申请(专利权)人 中国科学院兰州化学物理研究所 发明(设计)人 张斌;张俊彦;高凯雄;强力;王健
主分类号 C23C14/35(2006.01)I IPC主分类号 C23C14/35(2006.01)I
专利有效期 阳极场辅磁控溅射镀膜装置 至阳极场辅磁控溅射镀膜装置 法律状态
说明书摘要 本实用新型属于物理气相沉积领域,公开了一种阳极场辅磁控溅射镀膜装置,该装置包括真空腔体、工件盘和至少两个由电源Ⅰ供电的磁控溅射靶,在相邻的磁控溅射靶之间设有由电源Ⅱ供电的水冷阳极,在真空腔体内形成闭环结构。本实用新型将等高的水冷阳极和磁控溅射靶复合,增强了离化率的同时提高了腔体等离子体均匀性。

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