专利详情

专利名称	具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置
申请号	CN201520840239.X	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN205152323U	公开（授权）日	2016.04.13
申请（专利权）人	中国科学院兰州化学物理研究所	发明（设计）人	张斌;张俊彦;高凯雄;强力;王健
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I
专利有效期	具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置至具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型属于物理气相沉积领域，涉及一种具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置。该装置包括由偏压电源供电的工件盘、与真空泵组相连的真空腔体，真空腔体内设有不少于2个的由电源Ⅰ供电的磁控溅射靶，相邻的磁控溅射靶之间设有由电源Ⅱ供电的高功率脉冲离子源，在真空腔体内形成闭环结构。本实用新型将高功率脉冲离子源同磁控溅射相复合，消除了高功率脉冲电源作为磁控溅射电源时产生的离子回流现象，保证了磁控溅射所需的高离化密度，高功率脉冲离子源提高了薄膜的沉积速率。