直热式阴极及其制备方法
- 申请号：CN201510756121.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电子学研究所
- 公开(公开)号：CN105304436A
- 公开(公开)日：2016.02.03
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 直热式阴极及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201510756121.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105304436A | 公开（授权）日 | 2016.02.03 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 漆世锴;王小霞;罗积润;胡明炜;赵青兰;李云;张琪 |
| 主分类号 | H01J23/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J23/04(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 直热式阴极及其制备方法 至直热式阴极及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种直热式阴极，其采用含Y2O3的难熔氧化物作为活性物质，将该活性物质浸涂在表面为钨海绵层的纯钨丝阴极表面形成所述直热式阴极。以及一种直热式阴极的制备方法。本发明的直热式阴极大大地提高了纯钨丝阴极的热发射电流密度，延长了该阴极的工作寿命，从而延长了大功率连续波磁控管的工作寿命。 | ||
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