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一种制备锐钛矿相二氧化钛纳米片阵列的方法

  • 申请号:CN201410339244.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
  • 公开(公开)号:CN105271394A
  • 公开(公开)日:2016.01.27
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种制备锐钛矿相二氧化钛纳米片阵列的方法
申请号 CN201410339244.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN105271394A 公开(授权)日 2016.01.27
申请(专利权)人 中国科学院大连化学物理研究所 发明(设计)人 李灿;仲东;张文华
主分类号 C01G23/053(2006.01)I IPC主分类号 C01G23/053(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期 一种制备锐钛矿相二氧化钛纳米片阵列的方法 至一种制备锐钛矿相二氧化钛纳米片阵列的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种在透明导电玻璃基底上制备锐钛矿相二氧化钛纳米片阵列薄膜的方法。主要步骤:将钛前驱体与含有有机胺络合剂的水溶液混合均匀,再加入乙二胺四乙酸二钠及其它多羧酸钠盐配制成反应液;将清洗干净的透明导电玻璃基底放置于水热反应釜中,加入钛前驱体反应液加热反应,充分反应后取出导电玻璃基底,冲洗,吹干,得到钛酸盐纳米片阵列薄膜;将钛酸盐纳米片阵列薄膜用稀酸水溶液进行阳离子交换,充分交换后冲洗,吹干;将离子交换后的钛酸盐纳米片阵列薄膜置于马弗炉中高温焙烧,冷却后取出导电玻璃基底,即可得到锐钛矿相二氧化钛纳米片阵列薄膜。本发明操作简单,可控性好,薄膜与基底结合牢固,适合在光电器件中应用。

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