共振隧穿二极管近红外探测器
- 申请号:CN201510547194.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号:CN105244407A
- 公开(公开)日:2016.01.13
- 法律状态:实质审查的生效
- 出售价格: 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 共振隧穿二极管近红外探测器 | ||
| 申请号 | CN201510547194.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN105244407A | 公开(授权)日 | 2016.01.13 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明(设计)人 | 裴康明;倪海桥;詹锋;董宇;牛智川 |
| 主分类号 | H01L31/11(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/11(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
| 专利有效期 | 共振隧穿二极管近红外探测器 至共振隧穿二极管近红外探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种共振隧穿二极管近红外探测器,包括:一衬底;一集电区接触层,其制作在衬底上,集电区接触层一侧的上面形成一台面;一集电区,其制作在集电区接触层上台面的一侧,该集电区为圆形;一吸收层,其制作在集电区上;一空穴堆积层,其制作在吸收层上,其直径小于吸收层的直径;一双势垒结构,其制作在空穴堆积层上;一隔离层,其制作在双势垒结构上;一发射区,其制作在隔离层上;一上电极,其制作在集电区上;一下电极,其制作在集电区接触层一侧的台面上。本发明可以降低探测器暗电流及提高探测器的灵敏度。 | ||
交易流程
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专利 -
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